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CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR MOSFET
O transistor MOSFET (sigla de Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor ou transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico), é um aparelho semicondutor de efeito de campo em circuitos analógicos e/ou digitais.
Usado para a conversão de voltagens em diversos circuitos, o transistor MOSFET possui quatro terminais semicondutores, conhecidos como: fonte, comporta, dreno e corpo. Dreno e fonte estão localizados no corpo do transistor MOSFET, já a comporta está acima destes outros três terminais, localizado entre o dreno e a fonte. Uma camada fina de isolamento separa a comporta dos terminais.
Um transistor MOSFET é formado por um canal de material semicondutor do tipo N ou tipo P, podendo ser chamado de NMOSFET ou PMOSFET, respectivamente. Diferente de outros transistores bipolares, onde estes dispositivos são acionados por corrente, o transistor MOSFET é controlado por tensão de alimentação.
Esta tensão, quando aplicada entre os terminais fonte e comporta, gera um campo elétrico que penetra por meio do óxido, criando um canal invertido no canal original. Este canal invertido é do mesmo tipo N ou P, desse modo, cria-se um condutor no qual a corrente elétrica possa passar.
Criando-se a variação desta tensão entre a fonte e a comporta, é possível modular a condutividade dessa camada, tornando possível o controle do fluxo de corrente entre a fonte e o dreno.
No dia a dia, o transistor MOSFET é usado em circuitos e equipamentos para ampliação do sinal (ou tensão) enviados pela fonte principal, com o objetivo de gerar voltagem e alimentar específicos circuitos. Em uma placa mãe, o objetivo, por exemplo, é o de gerar tensão para a CPU, memória, etc, por meio da fonte de alimentação.
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